工艺方案

工艺方案

芯片生产工艺标准

芯片生产工艺标准

芯片键合,作为切割工艺的后道工序,是将芯片固定到基板(substrate)上的一道工艺。引线键合(wire bonding)则作为芯片键合的下道工序,是确保电信号传输的一个过程。wire bonding是最常见一种键合方式。(四川半导体微组装设备厂家)Gold Bonding Wire: 半导体键合金线/金丝用于半导体...

电化学沉积技术在集成电路行业的应用

电化学沉积技术在集成电路行业的应用

摘要:电化学沉积技术,作为集成电路制造的关键工艺技术之一,它是实现电气互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装 Bump、RDL、TSV 等电镀工艺。受 WLP、2.5D、3D、SIP 等先进封装技术的推动,未来 3 年市场空间可达 15~20 亿美元。0 引言(四川半导体微组装设备公司...

焊料体系对高功率半导体激光器性能的影响

焊料体系对高功率半导体激光器性能的影响

摘要:本文主要研究了808nm 高功率半导体激光器采用In焊料和AuSn焊料封装器件,对器件光电参数以及工作寿命的影响。结果显示In焊料封装器件功率高于AuSn焊料封装器件,In焊料封装器件波长比AuSn焊料封装器件短。而在工作寿命方面,AuSn焊料封装器件占有明显优势,经过500小时老化,结果显示In焊料封装器件功率...

半烧结型银浆粘接工艺

半烧结型银浆粘接工艺

摘要:选取了一种半烧结型银浆进行粘接工艺研究,通过剪切强度测试和空洞率检测确定了合适的点胶工艺参数,并进行了红外热阻测试和可靠性测试。结果表明,该半烧结型银浆的工艺操作性好,烧结后胶层空洞率低;当胶层厚度控制在30μm左右时,剪切强度达到25.73MPa;采用半烧结型银浆+TSV转接板的方式烧结功放芯片,其导热性能满足...

环氧模塑料在半导体封装中的应用

环氧模塑料在半导体封装中的应用

摘要: 环氧模塑料是一种重要的微电子封装材料, 是决定最终封装性能的主要材料之一, 具有低成本和高生产效率等优点, 目前已经成为半导体封装不可或缺的重要材料。本文简单介绍了环氧模塑料在半导体封装中的重要作用和地位; 分析了环氧模塑料性能对半导体封装的影响, 并对不同半导体封装对环氧模塑料的不同要求进行了分析; 最后展望...

功率器件的诞生史

功率器件的诞生史

功率器件负重前行IGBT 是应用最广泛的可控功率电子开关,一个200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象吗?它可以每个周期快速关断600安培的电流,电流密度高达300安培每平方厘米!这个耐压1200V的IGBT芯片只有纸张的厚度,可以想象围绕芯片的物理界面的机械应力会有多大。(四川有哪些半导体微组装设备...

十大常用元器件介绍

十大常用元器件介绍

对于从事电子行业的工程师来说,电子元器件就像人们日常进口的米饭一样,是每天都需要去接触,每天都需要用到的,但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。这里列举出工程师门常用的十大电子元器件,及相关的基础概念和知识,和大家一起温习一遍。一、电阻(四川半导体微组装设备公司)作为电子行业的工作者,电阻是无人不知无人不晓的。它的重...

半导体光刻机设备

半导体光刻机设备

摘 要:分析了半导体产业国际国内市场状况,研究了光刻机国际国内市场状况、竞争企业状况;同时从生产线应用配置、细分技术、行业应用、竞争因素、主要技术与供应链、技术发展趋势等角度对光刻机产业发展状况进行了深入分析,并对国内光刻机的发展进行思考。 ...

SiC半导体功率工艺

SiC半导体功率工艺

SiC物理气相传输法(PVT)的掺杂以及测试 按照掺杂后电阻率来分类,碳化硅衬底主要有导通型衬底和半绝缘衬底两种。导通型碳化硅衬底具有低电阻率,特别适合垂直型功率器件的制造用来降低串联电阻,而减少功率损耗。而半绝缘衬底具有较高电阻率,多用于横向高频器件制造中,用来减小寄生阻抗,因此在5G通讯和新一代智能互联、器件上具...

综述—扫描电子显微镜的充电效应

综述—扫描电子显微镜的充电效应

扫描电子显微镜(SEM)已广泛用于材料表征、计量和过程控制的研究和先进制造中。前面的主题讨论了使用SEM进行定量测量时需要避免的一些问题。本文将讨论了与样品“充电”相关的一些问题以及减轻其影响的方法。(四川成都半导体微组装设备:扫描电子显微镜)1、我们该如何理解充电效应?粒子束仪器中的术语“充电”意味着当样品被粒子束照...