工艺方案

工艺方案

锂电粘结剂的技术发展

锂电粘结剂的技术发展

一、粘结剂基本情况(四川有哪些半导体微组装设备公司?)锂电池制造工艺包括:1.极片制备,2.电芯装配,3.注液,4.化成,5.分容分选。从工艺来看,粘结剂与正负极活性物质、导电剂有相互作用,将这些物质粘结在集流体上,保持充放电时电极的完整性。锂电池制造工艺流程(一)粘结剂的特性与分类(四川成都半导体设备)由于活性物质、...

功率MOSFET

功率MOSFET

功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。(四川半导体微组装设备公司)也许,今天的...

SiC与GaN的应用差异

SiC与GaN的应用差异

SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG 设备显示出以下优点:1.宽带隙半导体(四川半导体微组装设备公司)氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2 eV,而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似,但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙...

先进封装 RDL-first 工艺

先进封装 RDL-first 工艺

摘要:随着摩尔定律逐步达到极限,大量行业巨头暂停了 7 nm 以下工艺的研发,转而将目光投向先进封装领域。其中再布线先行( RDL-first ) 工艺作为先进封装技术的重要组成部分,因其具备高良率、高密度布线的优势吸引了大量研究者的目光。总结了 RDL-first 工艺的技术路线及优势,详细介绍其工艺进展,模拟其在程...

学习氮化镓(GaN)功率器件结构与制造工艺

学习氮化镓(GaN)功率器件结构与制造工艺

【摘要】氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构...

下一代光刻机发展趋势.

下一代光刻机发展趋势.

下一代光刻机(Next-Generation Lithography,简称NGL)领域的竞争激烈,是半导体制造业中至关重要的一部分。这些高度精密的设备在半导体工艺中用于将电路图案刻写到硅晶圆上,因此对于微电子产业的发展至关重要。本文将预测下一代光刻机的竞争局势以及一些最新的技术趋势和挑战。(四川成都有哪些半导体微组装设...

功率半导体器件的优缺点

功率半导体器件的优缺点

功率半导体器件有哪些? 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看,功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。(四川半导体微组装设备公司) 近年来,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电...

离子研磨技术在电镜中的应用

离子研磨技术在电镜中的应用

一、离子研磨技术简介离子研磨CP的原理是离子通过电场加速作用与样品表面从而产生溅射效应,使样品获得高质量的平滑表面。离子研磨属于无应力研磨,不会对样品表面造成机械损害,被广泛应用于电子材料、半导体、光伏材料、锂离子电池、页岩、矿石、陶瓷、金属材料、高分子材料、生物材料等等领域。(四川半导体微组装设备公司)氩气属于惰性气...

半导体工艺流程

半导体工艺流程

你即使从来没有学过物理,从来没学过数学也能看懂,但是有点太简单了,适合入门,如果你想了解更多的CMOS内容,就要看这一期的内容了,因为只有了解完工艺流程(也就是二极管的制作流程)之后,才可以继续了解后面的内容。那我们这一期就了解一下这个CMOS在foundry公司是怎么生产的(以非先进制程作为例子,先进制程的CMOS无...

金丝球焊合格率——工艺研究

金丝球焊合格率——工艺研究

摘要:金丝键合是微组装制造工艺的关键工序,为解决电子产品金丝球焊合格率低的问题,根据金丝球焊的键合原理和工作过程,选取了键合压力、超声功率、超声时间、加热台温度等关键因素进行分析,得出金丝球焊是多种因素作用实现的,确定了设备的最优参数,并提出了改善金丝球焊工艺的方法。(四川半导体微组装设备公司)0 引言在微组装工艺中,...