平行缝焊和金属管壳裂纹影响
随着当今微电子产品朝着高性能、超小型化、多功能的方向发展,器件功率增大,封装体的散热特性已成为选择合适的封装技术的一个重要因素。以金属为外壳的封装是一种
随着当今微电子产品朝着高性能、超小型化、多功能的方向发展,器件功率增大,封装体的散热特性已成为选择合适的封装技术的一个重要因素。以金属为外壳的封装是一种
芯片封装是半导体制造过程中至关重要的一步,它不仅保护了精密的硅芯片免受外界环境的影响,还提供了与外部电路连接的方式。通过一系列复杂的工艺步骤,芯片从晶圆
一、晶圆减薄是什么? 晶圆,即半导体制造的基础材料,通常由高纯度单晶硅制成,初始厚度约为700-800微米(接近一张银行卡)。晶圆减薄,就是在晶圆正面完成
在半导体产业链中,特别是第三代半导体(宽禁带半导体)产业链中,会有衬底及外延层之分,那外延层的存在有何意义?和衬底的区别是什么呢?首先,先普及一个小概念:晶圆制
未来20年,人工智能有望取得巨大进步。 2005年,半导体产业规模为2274.8亿美元。到2024年,这一数字增长了2.77倍,达到6305.5亿美元
随着第三代半导体器件的高速发展,传统的功率器件封装材料会产生热应力问题、金属间脆性化合物生长问题。低温烧结纳米银具有低温烧结高温服役的特点,还具有优异的
芯片后门可能在一片芯片生命周期的不同阶段被引入——设计、制造或后期生产。以下是可能的途径,揭示了芯片供应链的脆弱性:一、设计阶段:后门可由原始设计者或工
共晶焊接的核心是通过形成异种金属间的共晶组织,实现可靠牢固的金属连接。在半导体封装的芯片安装过程中,首先要求芯片背面存在金属层。通常,功率器件的背面金属
在半导体制造领域,刻蚀工艺模块常提及“EPD曲线”。EPD(End Point Detection)即端点检测,是一种用于实时监测和控制刻蚀或沉积工艺的
晶圆清洗是半导体制造的关键工艺,旨在去除晶圆表面的颗粒、金属离子、有机物及氧化物残留。随着器件尺寸微缩至纳米级,任何微小污染物均可能导致图形缺陷、绝缘膜
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