工艺方案

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晶圆CP测试

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CP测试定义晶圆CP(Chip Probing)测试,全称是晶圆级芯片测试,也称为探针卡测试 或 中测。它是在晶圆制造完成之后、切割和封装之前,通过探针

芯片封装的典型失效现象

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集成电路封装五大典型失效模式: 金线偏移、芯片开裂、界面开裂、基板裂纹及再流焊缺陷,其形成机理与工艺控制紧密相关,需结合材料特性与工艺参数进行系统性优化

芯片供电越来越复杂

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IR压降正成为越来越多设计中日益棘手的问题,这表明供电网络(PDN)未能在需要时为设计的某些部分提供足够的电流。不幸的是,这个问题没有简单的解决办法。过去,当电

SOI工艺技术

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在半导体行业持续追求更高性能、更低功耗的今天,一种名为“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工艺技术逐渐成为行业焦点。无论是智能手机、自动驾驶

芯片面板已开始转向

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AI芯片的先进封装需求,正推动半导体设备与材料行业转向供应矩形面板,旨在抢占我们所熟知的圆形硅晶圆的市场份额。设备制造商拉姆研究(Lam Research)和尼

硅和碳化硅与氮化镓的身份

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在我们日常使用的电子产品和高科技的电动汽车、5G基站背后,是三种核心的半导体材料在默默驱动:硅、碳化硅和氮化镓。它们并非相互替代,而是如同一个团队中各司

了解3D IC封装

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随着摩尔定律面临瓶颈,3D封装技术成为集成电路发展的关键方向。 它不仅能实现电子产品的小型化,还能提升性能、降低功耗,是未来半导体行业的重要趋势。摩尔定律遇到

带你认识晶圆上的Notch

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在芯片制造领域中,晶圆边缘的缺口(Notch)是一个至关重要的结构标记。它并非生产过程中的瑕疵,而是为了实现精确定位与方向识别而特意设计的功能性特征。

半导体掺杂工艺介绍

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在半导体制造领域,掺杂是一项至关重要的工艺,它通过向纯净的半导体材料中引入特定种类的杂质原子,从而改变其电导率及其他电学性能。以最常见的半导体材料硅为例