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第1步~第4步：薄膜材料沉积
第1步：硅衬底（绿色）为基础结构。
第2步：在硅上沉积绝缘层，一般为二氧化硅（SiO₂），起到电隔离作用。
第3步：在绝缘层上继续沉积栅极材料（通常是多晶硅）。
第4步：旋涂一层光刻胶（PR），为后续的图案转移做准备。
第5步：曝光
利用光刻工艺将设计图案投影到PR上，曝光后进行显影，得到图案化的PR掩膜。
图中标出：PR上的白色区域是已曝光/显影的位置，表示开口区域。
第6步：显影，刻蚀准备
显影后PR图案形成，为刻蚀做好准备；
显影后可进行预烘烤、Ashing、degas等预处理；
接下来根据工艺选择干法刻蚀或湿法刻蚀。
第7步：干法刻蚀
使用等离子体刻蚀方法（RIE等），通过高能粒子轰击实现各层材料的各向异性刻蚀；
PR掩膜保护未曝光区域，等离子体蚀刻多晶硅或SiO₂等目标材料；
第8步：剥离（PR去除）
刻蚀完成后，去除PR（光刻胶）：
可采用等离子体去胶（ashing）或溶剂剥离；
至此，一个完整的干法刻蚀步骤结束

                                                                                                                                                                                          文章归原作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！